【問題】
【難易度】★★★☆☆(普通)
次の文章は,ホール効果測定に関する記述である。文中の に当てはまる最も適切なものを解答群の中から選べ。
図のように,板状の半導体(長さ L ,幅 W ,厚さ t )の A 面と B 面の間に電圧 V(>0) を印加する。半導体中のキャリヤが電界から力を受けて一定速度 v で運動している状況を考える。キャリヤが正の電荷量 q を持つ正孔の場合,正孔の濃度を p ,移動度を μh と仮定すると,運動の方向は x 軸の正方向となり, v= (1) と表されることから,回路を流れる電流 I は, I= (2) と表される。
この半導体に,図の z 軸の正方向に磁束密度 Bz(>0) の磁界を印加すると,正孔がローレンツ力を受けることで, C 面の電位が D 面に対して (3) くなる。この電位差をホール電圧 VH と定義する。定常状態では, VH による電界から受ける力と,ローレンツ力が釣り合うことから, VH= (4) と表される。以上の関係を用いると, VH と I を実測することにより μh と p が得られ, p= (5) と算出される。

〔問6の解答群〕
(イ) 高 (ロ) 等し (ハ) μhVW(ニ) qpμhVL (ホ) 低 (ヘ) qBztIVH(ト) μhVL (チ) qμhVBzWL (リ) μhVBzWL(ヌ) BzqtIVH (ル) BzqtVHI (ヲ) qpμhVtWL(ワ) qpμhVtLW (カ) μhLV (ヨ) μhVBzWLt
【ワンポイント解説】
ホール効果測定に関する問題です。
ホール効果は半導体に電流を流し,さらに電流に直角の磁界をかけたとき,電流と磁界に直角の方向に電圧が生じる現象で,本問はそのメカニズムを説明している内容となっています。
電荷の偏りによる起電力の発生がポイントとなり,電子理論の範囲ですが電磁気の知識を使用する問題となります。
1.電界により電荷に働く力の大きさ
一様な電界 E が電荷 q にかかっているとき,この電荷 q に働く力の大きさ F は,
F=qE
2.フレミングの左手の法則
中指を電流の向き,人差し指を磁界の向きに合わせると,親指の方向に力が働くという法則で,頭文字を取って「電磁力」と覚えます。
磁束密度の大きさ B ,電子の速度 v ,電荷を q とすると,電荷にかかるローレンツ力 F は,
F=qvB

3.正孔と電子の移動度と電流密度
電界 E が加わっている電界中に正孔と電子があるとすると,正孔は電界と同方向に,電子は電界と反対方向に動きます。その時の正孔と電子の速度を vh , ve ,正孔と電子の移動度を μh , μe とすると,
vh=μhEve=μeE
Jh=qpvh=qpμhEJe=−qnve=−qnμeE
【解答】
(1)解答:ト
ワンポイント解説「3.正孔と電子の移動度と電流密度」の通り,正電荷の速度 v は,電源 V による電界を E とすると,
v=μhE=μhVL
(2)解答:ヲ
ワンポイント解説「3.正孔と電子の移動度と電流密度」の通り,半導体内の電流密度 J は,
J=qpv=qpμhVL
I=JS=qpμhVL⋅Wt=qpμhVtWL
(3)解答:イ
z 軸の正方向に磁束密度 Bz が印加されると,ワンポイント解説「2.フレミングの左手の法則」の通り,図2のようにローレンツ力が加わる。すると,正電荷が C 面側に引き寄せられ, C 面の電位が D 面に対して高くなる。

(4)解答:リ
VH による電界 EH は,
EH=VHW
FH=qEH=qVHW
FH=qVHW=qvBzqVHW=q⋅μhVL⋅BzVHW=μhVBzLVH=μhVBzWL
(5)解答:ヌ
(2),(4)解答式より,
μhVWL=Iqpt=VHBz
Iqpt=VHBzp=BzqtIVH