【問題】 【難易度】★★☆☆☆（やや易しい） \( \ \mathrm {FET} \ \)は，半導体の中を移動する多数キャリアを\( \ \fbox {　 （ア） 　} \ \)電圧により生じる電界によって制御する素子…

【問題】 【難易度】★★★☆☆（普通） 次の文章は，真空中における電子の運動に関する記述である。 図のように，\( \ x \ \)軸上の負の向きに大きさが一定の電界\( \ E \ \mathrm {[V／m]} \ …

【問題】 【難易度】★★★★☆（やや難しい） 図に示すように二つの増幅器を縦続接続した回路があり，増幅器\( \ 1 \ \)の電圧増幅度は\( \ 10 \ \)である。今，入力電圧\( \ v_{\mathrm {i…

【問題】 【難易度】★★★★☆（やや難しい） 図1は，飽和領域で動作する接合形\( \ \mathrm {FET} \ \)を用いた増幅回路を示し，図中の\( \ v_{\mathrm {i}} \ \)並びに\( \ …

【問題】 【難易度】★★★★☆（やや難しい） 次の文章は，図1及び図2に示す原理図を用いてホール素子の動作原理について述べたものである。 図1に示すように，\( \ \mathrm {p} \ \)形半導体に直流電流\(…

【問題】 【難易度】★★★★☆（やや難しい） 図のコレクタ接地増幅回路に関する記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 (1)　電圧増幅度は約\( \ 1 \ \)である。 (2)　入力インピー…

【問題】 【難易度】★★☆☆☆（やや易しい） 半導体に関する記述として，誤っているのは次のうちどれか。 (1)　シリコン\( \ \left( \mathrm {Si} \right) \ \)やゲルマニウム\( \ \…

【問題】 【難易度】★★☆☆☆（やや易しい） 図1のように，真空中において強さが一定で一様な磁界中に，速さ\( \ v \ \mathrm {[m/s]} \ \)の電子が磁界の向きに対して\( \ \theta \ \…

【問題】 【難易度】★★★☆☆（普通） 図1にソース接地の\( \ \mathrm {FET} \ \)増幅器の静特性に注目した回路を示す。この回路の\( \ \mathrm {FET} \ \)のドレーン－ソース間電圧…

【問題】 【難易度】★★★★☆（やや難しい） 図1の回路は，エミッタ接地のトランジスタ増幅器の交流小信号に注目した回路である。次の(a)及び(b)に答えよ。 ただし，\( \ R_{L} \ \mathrm {[\Ome…