《理論》〈電子理論〉[H22:問7]MOSFETを用いた直流で動作する回路に関する計算問題

【問題】

【難易度】★☆☆☆☆(易しい)

次の文章は,図1に示す\( \ \mathrm {MOSFET} \ \)を用いた直流で動作する回路に関する記述である。文中の\( \ \fbox{$\hskip3em\Rule{0pt}{0.8em}{0em}$} \ \)に当てはまる数値を解答群の中から選びなさい。 ただし,\( \ \mathrm {MOSFET} \ \)のゲート・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {GS}} \ \)とドレーン・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {DS}} \ \)は図2のとおりに定義され,しきい電圧を\( \ V_{\mathrm {T}} \ \)とするとき, ドレーン電流\( \ I_{\mathrm {D}} \ \)は
\[
\begin{eqnarray}
I_{\mathrm {D}} &=&K\left( V_{\mathrm {GS}}-V_{\mathrm {T}}\right) ^{2}  ・・・・・・・・・・・・・・・ ① \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] で表されるものとする。ここで,\( \ K \ \)は比例定数であり,①式が成り立つためにはゲート・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {GS}} \ \)とドレーン・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {DS}} \ \)は
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {DS}} &≧&V_{\mathrm {GS}}-V_{\mathrm {T}} > 0   \ ・・・・・・・・・・・・・・・ ② \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] を満たさなければならない。また,ゲート電流は常に零である。

図1の回路において,\( \ 2 \ \)個の\( \ \mathrm {MOSFET} \ \)の\( \ K \ \)と\( \ V_{\mathrm {T}} \ \)がそれぞれ等しく,\( \ V_{\mathrm {B}}=0.50 \ \mathrm {[V]} \ \),\( \ V_{\mathrm {DD}}=3.0 \ \mathrm {[V]} \ \),\( \ V_{\mathrm {T}}=0.30 \ \mathrm {[V]} \ \)とする。

まず,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{1} \ \)について②式の関係を満足するためには,入力電圧\( \ V_{\mathrm {in}} \ \)は\( \ \fbox {  (1)  } \ \mathrm {[V]} \ \)以下でなければならない。次に,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{2} \ \)が②式の関係を満足するためには,出力電圧\( \ V_{\mathrm {out}} \ \)は\( \ \fbox {  (2)  } \ \mathrm {[V]} \ \)以上でなければならない。

いま,入力電圧\( \ V_{\mathrm {in}} \ \)が\( \ \fbox {  (1)  } \ \mathrm {[V]} \ \)以下で,出力電圧\( \ V_{\mathrm {out}} \ \)が\( \ \fbox {  (2)  } \ \mathrm {[V]} \ \)以上であると仮定する。さらに,出力電流\( \ I_{\mathrm {out}} \ \)が\( \ 0 \ \mathrm {[A]} \ \)であるとすると,\( \ I_{\mathrm {D1}}=I_{\mathrm {D2}} \ \)が成り立つ。この式と①式から\( \ V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}} \ \)が\( \ \fbox {  (3)  } \ \mathrm {[V]} \ \)又は\( \ \fbox {  (4)  } \ \mathrm {[V]} \ \)と求められる。ただし,\( \ V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}} \ \)が\( \ \fbox {  (4)  } \ \mathrm {[V]} \ \)の場合,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{1} \ \)について②式の関係が成り立たないので,\( \ V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}} \ \)は\( \ \fbox {  (3)  } \ \mathrm {[V]} \ \)でなければならない。このことから,\( \ V_{\mathrm {in}} \ \)が\( \ 1.5 \ \mathrm {[V]} \ \)のとき\( \ V_{\mathrm {out}} \ \)は\( \ \fbox {  (5)  } \ \mathrm {[V]} \ \)であることがわかる。

〔問7の解答群〕
\[
\begin{eqnarray}
&(イ)& 0.40       &(ロ)& 3.0       &(ハ)& 0.60 \\[ 5pt ] &(ニ)& 0.10     &(ホ)& 1.0     &(ヘ)& 3.3 \\[ 5pt ] &(ト)& 0.80     &(チ)& 1.3     &(リ)& 0.30 \\[ 5pt ] &(ヌ)& 0.90     &(ル)& 0.50     &(ヲ)& 2.0 \\[ 5pt ] &(ワ)& 0.70     &(カ)& 2.7     &(ヨ)& 0.20 \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\]

【ワンポイント解説】

\( \ \mathrm {MOSFET} \ \)を用いた直流で動作する回路に関する問題です。
特に特殊な公式は使用せず,問題文を読解しながら解く問題です。\( \ 1 \ \)種では二次試験においてもその場で考えさせる問題が多いので,ぜひ読解力を磨くようにしましょう。

【解答】

(1)解答:ヘ
図1において,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{1} \ \)のドレーン・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {DS}} \ \)は,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {DS}} &=&V_{\mathrm {DD}}-V_{\mathrm {out}} \\[ 5pt ] &=&3.0-V_{\mathrm {out}} \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] であり,ゲート・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {GS}} \ \)は,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {GS}} &=&V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}} \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] であるため,②式を満たすためには,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {DS}} &≧&V_{\mathrm {GS}}-V_{\mathrm {T}} \\[ 5pt ] 3.0-V_{\mathrm {out}} &≧&V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}-0.30 \\[ 5pt ] 3.0 &≧&V_{\mathrm {in}}-0.30 \\[ 5pt ] V_{\mathrm {in}}&≦&3.3 \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] である必要がある。

(2)解答:ヨ
(1)と同様に,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{2} \ \)のドレーン・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {DS}} \ \)は,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {DS}} &=&V_{\mathrm {out}} \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] であり,ゲート・ソース間電圧\( \ V_{\mathrm {GS}} \ \)は,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {GS}} &=&V_{\mathrm {B}} \\[ 5pt ] &=&0.50 \ \mathrm {[V]} \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] であるため,②式を満たすためには,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {DS}} &≧&V_{\mathrm {GS}}-V_{\mathrm {T}} \\[ 5pt ] V_{\mathrm {out}}&≧&0.50-0.30 \\[ 5pt ] V_{\mathrm {out}}&≧&0.20 \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] である必要がある。

(3)解答:ル
\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{1} \ \)に①式を適用すると,
\[
\begin{eqnarray}
I_{\mathrm {D1}} &=&K\left( V_{\mathrm {GS}}-V_{\mathrm {T}}\right) ^{2} \\[ 5pt ] &=&K\left( V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}-0.30\right) ^{2} \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] となり,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{2} \ \)に①式を適用すると,
\[
\begin{eqnarray}
I_{\mathrm {D2}} &=&K\left( V_{\mathrm {GS}}-V_{\mathrm {T}}\right) ^{2} \\[ 5pt ] &=&K\left( V_{\mathrm {B}}-0.30\right) ^{2} \\[ 5pt ] &=&K\left( 0.50-0.30\right) ^{2} \\[ 5pt ] &=&0.04K \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] となる。題意より\( \ I_{\mathrm {D1}}=I_{\mathrm {D2}} \ \)であるから,
\[
\begin{eqnarray}
K\left( V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}-0.30\right) ^{2} &=&0.04K \\[ 5pt ] \left( V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}-0.30\right) ^{2}&=&0.04 \\[ 5pt ] V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}-0.30&=&±0.20 \\[ 5pt ] V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}&=&0.10,0.50 \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] と求められる。このうち\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{1} \ \)について②式の関係\( \left( \ V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}-0.30 > 0 \ \right) \)を満たすのは\( \ 0.50 \ \mathrm {[V]} \ \)である。

(4)解答:ニ
(3)で求めた\( \ V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}} \ \)において,\( \ \mathrm {MOSFET \ M}_{1} \ \)の②式の関係を満たさないのは\( \ 0.10 \ \mathrm {[V]} \ \)である。

(5)解答:ホ
(3)及び(4)より,
\[
\begin{eqnarray}
V_{\mathrm {in}}-V_{\mathrm {out}}&=&0.50 \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] であるので,\( \ V_{\mathrm {in}} = 1.5 \ \mathrm {[V]} \ \)を代入すると,
\[
\begin{eqnarray}
1.5-V_{\mathrm {out}}&=&0.50 \\[ 5pt ] V_{\mathrm {out}}&=&1.0 \\[ 5pt ] \end{eqnarray}
\] と求められる。



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